专利类型：发明专利
申请号：ZL 201710939183.7
申请日： 2017.09.30
授权公告日：2020.09.22
专利权人：华北电力大学
发明人：赵桂霞, 王祥学, 文涛, 王祥科
院系：环境科学与工程学院
摘要：
本发明的目的是提供一种在二氧化钛表面修饰分子态钴/镍活性位点，主要以P25为半导体基底，在湿法化学方法下以EDTA?过渡金属配合物为前驱体，经过焙烧处理得到表面均匀分布的钴/镍分子态活性中心。本方法生产工艺简单，绿色环保，前驱体廉价，并且所得的修饰后的P25具备高效的光催化性能，相比其他金属盐前驱体，本方法首次提出EDTA?过渡金属配合物这种鳌合物的优异功能。对于催化领域具有广阔的应用前景。
技术领域：
本发明属于一种P25负载分子态金属钴/镍等活性位点材料的制备方法，具体涉及一种半导体表面负载活性分子态过渡金属活性中心的制备方法。
